برای این کار نمونهها را آمادهی قرار دادن در فسفریک اسید ۸% وزنی میکنیم. برای جلوگیری از خورده شدن سیمها و روکش طلا، آنها را با چسب مایع میپوشانیم. قبل از این کار برای برقراری ارتباط با سطح رسانای طلا یک سیم مسی نازک را با چسب نقره به سطح طلایی چسبانده و پس از آن چسب مایع را مطابق شکل زیر میزنیم.
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))
شکل (۶-۳۲) نمونههای تهیه شده جهت اندازه گیری مقاومت، که روی آنها توسط چسب نقره سیمهای نازک مسی چسبانده شده و سپس با چسب مایع پوشش داده شده اند.
پس از آن آلومینیوم ته نمونهها را در محلول CuCl2 حل میکنیم.
ما در ولتاژ ثابت v5 و دمای حدود c300 یک نمونه را در محلول فسفریک اسید ۸% وزنی قرار داده و جریان آنرا بررسی کردیم. جریان از ابتدا تا انتهای آزمایش در حدود چند میلی آمپر باقیماند و متاسفانه همراه با باز شدن حفرهها نانوسیمها حل شده، اما جریان بالا نرفت تا از روی ولتاژ و جریان مقدار مقاومت بدون لایهی سدی محاسبه گردد.
در کل انحلال لایهی سدی زیر نانوسیمها کار قابل کنترلی نبوده و برای فسفریک ۵% و NaoH نیز جوابی مشابه بهمراه دارد.
۶-۷- تخمین مقدار مقاومت تقریبی تک نانوسیم Zn
در این بخش میخواهیم محاسباتی تقریبی جهت بدست آوردن مقاومت یک تک نانوسیم انجام دهیم. برای این کار محاسبات تجربی انجام گرفته بر روی یک نمونه در بخش ۶-۶-۳ را مد نظر قرار میدهیم. بعنوان مثال از نمونه دوم در جدول ۶-۴ استفاده میکنیم. از آنجا که Zn رسانایی خوبی دارد، فرض میکنیم مقاومت دو سر نمونه قبل از اکسایش بطور تقریبی تنها مربوط به مقاومت لایهی سدی در زیر سیمها باشد که ضخامت آن تا لایهی آلومینیوم زیرین مطابق بخش ۴-۱۲ با ولتاژ نهایی آندایز (v12) رابطه خطی با ثابت تناسب nm/v3/1 دارد که در نتیجه این ضخامت برابر nm6/15 می شود. طبق جدول ۶-۴ مقدار این مقاومت kΩ۱۳۰ میباشد. حال اگر فرض کنیم مقدار مقاومتی که بعد از اکسایش بدست می آید مربوط به مقاومت لایهی سدی، بعلاوهی افزایش مقاومت آلومینا (لایهی سدی) در اثر بازپخت، بعلاوهی مقاومت نانوسیمهای اکسید شده موجود در مسیر عبور جریان (آن دسته نانوسیمهایی که از بالا با سطح طلا اندود در اتصالاند) باشد، میتوان با کم کردن مقاومت قبل از اکسایش از مقاومت بعد از اکسایش، سهم مقاومت زمینه این لایه را حذف نمود. از آنجا که این لایه در زیر سیمها ضخامت بسیار کمی دارد، با تقریبی دیگر سهم مقاومت افزایش یافته آلومینا را نیز ناچیز در نظر میگیریم. در نتیجه با کم کردن مقدار مقاومت بعد از اکسایش (MΩ۵/۲۲) از مقدار مقاومت قبل از اکسایش به مقدار MΩ۳۷/۲۲ برای مقاومت آرایهی نانوسیمهای موازی موجود در مدار میرسیم.
با توجه به ساختار آلومینای متخلخل که از سلولهای ششگوش با حفرههای استوانهای درونش تشکیل یافته میتوان تعداد حفره در واحد سطح را بدست آورد. با توجه به شکل (۶-۳۳) و از آنجا که مساحت شش ضلعی برابر ( )Dint2میباشد، چگالی تعداد حفره بر واحد سطح n = 1/( )Dint2 بدست می آید که با توجه به فرمول ۴-۱۲ تناسب قطر سلول (Dc) یا همان فاصلهی بین سلولی(Dint) با ولتاژ آندایز (DC = λC U) که در آن nm/v5/2= λC است و با توجه به ولتاژ آندایز که v130 است داریم nm325= Dint و در نتیجه n برابر میگردد با (pore/cm2) 1073/77.
شکل (۶-۳۳) طرحی از سطح لانه زنبوری آلومینای آندایز شده
مساحت سطح طلای ما که با قطر ماسک mm1/6 بر سطح نشانده شد، برابر cm216/1بوده و در نتیجه برای تعداد حفره داریم۱۰۷۶۶/۸۹ . اما با توجه به اینکه حدود ۵-۱۰% حفرهها طبق تجربیات قبلی در تصاویر SEM سرریز میشوند و با
فرم در حال بارگذاری ...
